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建筑玻璃中的膜類分類

作者:奧固鴻已有:N多人關(guān)注

  一、 薄膜的概念和分類

  采用一定的方法,使處于某種狀態(tài)的一種或幾種物質(zhì)(原材料)的基因以物理或化學(xué)方式附著于襯底材料的表面,在襯底材料表面形成一層新的物質(zhì),這層新物質(zhì)就是薄膜。簡(jiǎn)而言之,薄膜就是由離子、原子或分子的沉積過(guò)程形成的二維材料。

  薄膜分類

  (1) 按物態(tài)分類:氣態(tài),液態(tài),固態(tài)。

  (2) 按結(jié)晶態(tài)分類:非晶態(tài):原子排列短程有序,長(zhǎng)程無(wú)序。

  晶態(tài):又分為單晶和多晶;單晶為外延生長(zhǎng),在單晶基地上同質(zhì)和異質(zhì)外延,多晶在一襯底上生長(zhǎng),由許多取向相異單晶集合體組成。

  (3) 按化學(xué)角度分類:有機(jī)薄膜和無(wú)機(jī)薄膜。

  (4) 按組成分類:金屬薄膜和非金屬薄膜

  (5) 按物性分類:硬質(zhì)薄膜、聲學(xué)薄膜、熱學(xué)薄膜、金屬導(dǎo)電薄膜、半導(dǎo)體薄膜、超導(dǎo)薄膜、介電薄膜、磁阻薄膜、光學(xué)薄膜。

  二、 制備工藝

  薄膜制備工藝包括:薄膜制備方法的選擇,基體材料的選擇及表面處理,薄膜制備條件的選擇等。

  ()基體的選擇

  在薄膜制備過(guò)程中,基體的選擇與其他制備條件同樣重要,有時(shí)可能更重要,基體選擇的原則是:

  (1)是否容易成核和生長(zhǎng)成薄膜;

  (2)根據(jù)不同的應(yīng)用目的,選擇金屬(或合金)、玻璃、陶瓷單晶和塑料等作基體;

  (3)薄膜結(jié)構(gòu)與基體材料結(jié)構(gòu)要對(duì)應(yīng);

  (4)要使薄膜和基體材料的性能相匹配,從而減少熱應(yīng)力,不使薄膜脫落;

  (5)要考慮市場(chǎng)供應(yīng)情況、價(jià)格、形狀、尺寸、表面粗糙度和加工難易程度等。

  ()基片的清洗

  1、概述

  由于薄膜厚度很薄,基片表面的平整度、清潔度都會(huì)對(duì)所生長(zhǎng)的薄膜有影響?;砻娴娜魏我稽c(diǎn)污物都會(huì)影響薄膜材料的性能和生長(zhǎng)情況。由此可見,基片的清洗是十分重要的。

  基片的清洗方法主要根據(jù)薄膜生長(zhǎng)方法和薄膜使用目的選定,因?yàn)榛砻鏍顟B(tài)嚴(yán)重影響基片上生長(zhǎng)出的薄膜結(jié)構(gòu)和薄膜物理性質(zhì)。

  2、基片的清洗方法

  一般分為去除基片表面上物理附著的污物的清洗方法和去除化學(xué)附著的污物的清洗方法。

  目前,基片清洗方法有:用化學(xué)溶劑溶解污物的方法、超聲波清洗法、離子轟擊清洗法、等離子體清洗法和烘烤清洗法等。

  ()薄膜的制備條件

  真空技術(shù)是制備薄膜的基礎(chǔ),真空蒸發(fā),濺射鍍膜和離子鍍等均要求沉積薄膜的空間要有一定的真空度,因而獲得并保持真空環(huán)境是鍍膜的必要條件。

  1、真空的概念

  真空拉丁文Vacuo,其意義是虛無(wú)。真空是指氣體較稀薄的空間。真空是一個(gè)相對(duì)的概念低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)。真空狀態(tài)是氣體分子運(yùn)動(dòng)的動(dòng)態(tài)結(jié)果。標(biāo)準(zhǔn)狀況下氣體的分子密度約為 3x1019 個(gè)/cm31 /104大氣壓下氣體的分子密度約為 3x1015 個(gè)/cm3。

  2、真空度的單位

  真空狀態(tài)下氣體稀薄程度稱為真空度,通常用壓力值表示。1958年,第一界國(guó)際技術(shù)會(huì)議曾建議采用”(Torr)作為測(cè)量真空度的單位。國(guó)際單位制(SI)中規(guī)定壓力的單位為帕(Pa)。我國(guó)采用SI規(guī)定。

  1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓(1atm)≈1.013×105Pa()

  1Torr≈1/760atm≈1mmHg

  1Torr≈133Pa≈102 Pa

  100Pa=0.75Torr ≈1Torr

  3、真空度的劃分

  為了研究真空和實(shí)際應(yīng)用方便,常把真空劃分為:

  低真空(1×105~1×102Pa)

  中真空(1×102~1×10-1Pa)

  高真空(1×10-1~1×10-6Pa)

  超高真空(<1×10-6Pa)四個(gè)等級(jí)。

  4、真空的基本特點(diǎn)

  (1)氣體間的碰撞少,平均自由程長(zhǎng)

  (2)與器壁或研究對(duì)象表面的碰撞少

  (3)壓力低,改變化學(xué)平衡

  (4)熱導(dǎo)低

  (5)化學(xué)非活性

  三、制備方法

  代表性的制備方法按物理、化學(xué)角度來(lái)分,有:

  1 物理成膜 PVD

  2 化學(xué)成膜 CVD

  物理成膜的定義為:利用蒸發(fā)、濺射沉積或復(fù)合的技術(shù),不涉及到化學(xué)反應(yīng),成膜過(guò)程基本是一個(gè)物理過(guò)程而完成薄膜生長(zhǎng)過(guò)程的技術(shù),PVD為代表。

  成膜的方法和工藝:真空蒸發(fā)鍍膜(包括脈沖激光沉積、分子束外延)

  濺射鍍膜

  離子成膜

  化學(xué)成膜的定義為:有化學(xué)反應(yīng)的使用與參與,利用物質(zhì)間的化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)薄膜生長(zhǎng)的方法。

  成膜的工藝和方法:化學(xué)氣相沉積(CVD – Chemical Vapor Deposition )

  液相反應(yīng)沉積(液相外延)

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