在IC芯片制造過程中，石英玻璃因高純度、耐高溫、低的熱膨脹等優(yōu)良性能而被大量采用。如：在對單晶硅片進(jìn)行摻雜、擴(kuò)散、氧化、退火等關(guān)鍵工序中使用的石英玻璃擴(kuò)散管；硅片外延工序使用的石英鐘罩；硅片酸洗和超聲波清洗工序使用的花籃、支架；硅片擴(kuò)散工序使用的硅片承載器（石英玻璃舟）；拉制單晶硅工序中使用的石英坩堝等。
石英玻璃擴(kuò)散管是電子半導(dǎo)體工業(yè)中使用的極其重要、應(yīng)用廣泛和用量較大的石英玻璃制品，其純度、抗高溫變形性能、幾何尺寸和外觀質(zhì)量性能直接影響集成電路和器件的質(zhì)量、成本和生產(chǎn)效率。它的發(fā)展趨勢是大規(guī)格、高純度和長壽命。目前使用的規(guī)格尺寸直徑一般為200~500mm，該類石英玻璃管通常是采用兩步法成型工藝：第一步制備空心石英玻璃坨；第二步在二次成型機(jī)上離心擴(kuò)管至需要的尺寸。為了提高石英玻璃擴(kuò)散管抗高溫變形能力，通常采用管壁高溫涂層工藝，在管內(nèi)表面施以高純SiO2涂層，外表面噴涂Al2O3或噴涂SiC涂層，然后經(jīng)高溫火焰處理，使管外層形成起骨架作用的微晶層，此工藝將顯著提高石英玻璃的抗高溫變形能力（從1200℃可提高到1280℃），使用壽命提高1~2倍，減少清爐的次數(shù)，降低消耗，提高生產(chǎn)效率。
目前國內(nèi)硅單晶年產(chǎn)量為2000t以上，用于制作分離器件和線路級單晶各占200t左右，其余太陽能硅單晶，并以每年近30%的速度增長。太陽能單晶的生產(chǎn)由國外轉(zhuǎn)入中國的趨勢明顯，國內(nèi)目前約1000臺單晶爐，2005年國內(nèi)石英坩堝總需求量超過了20萬只。
石英坩堝是用高純石英粉為原料，用氣煉熔融法或電弧熔融法制造的透明或半透明高純度坩堝，SiO2含量根據(jù)單晶硅的應(yīng)用場合（太陽能級、IC級）差別較大，通常需在99.99%以上；規(guī)格尺寸根據(jù)拉制單晶硅尺寸而異，目前一般為8~24in(lin=2.54cm)。石英坩堝的發(fā)展趨勢是增大尺寸、提高純度和改善抗高溫形變性能?，F(xiàn)階段盡管我國生產(chǎn)單晶硅和石英坩堝的廠家很多，但I(xiàn)C行業(yè)單晶硅用石英坩堝幾乎全部依賴進(jìn)口，即使生產(chǎn)太陽能級單晶用石英坩堝的原料我國都無法穩(wěn)定提供，尚需進(jìn)口美國公司的原料，這主要受制于我國石英原料的純度、穩(wěn)定性（原料處理的工藝技術(shù)及裝備）及坩堝的制備工藝技術(shù)。
- 支架是放在單晶硅擴(kuò)散爐管前，作為石英舟入爐和出爐的托架，支托數(shù)個承載單晶硅片的石英舟，并運(yùn)載石英舟進(jìn)行擴(kuò)散爐內(nèi)進(jìn)行單晶硅片的擴(kuò)散、氧化、退火處理。
- 石英舟是單晶硅片擴(kuò)散、氧化、CVD沉積、退火處理不可缺少的石英玻璃承載器具，目前應(yīng)用的石英玻璃舟根據(jù)單晶硅片生產(chǎn)尺寸和處理工藝，各廠規(guī)格尺寸各不相同，沒有固定規(guī)格和形式，尺寸上已達(dá)12in(lin=2.54cm)以上；形式上有臥式舟、立式舟；材料上有石英玻璃，也有用SiC材料。
- 石英玻璃花籃是用于硅片的酸洗和超聲波清晰的承載器具。
- 石英玻璃清洗槽（缸）是清洗過程洗滌液的盛裝容器，規(guī)格尺寸各廠使用的各不相同。
硅片外延是半導(dǎo)體器件與集成電器生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝之一，一般立式外延爐。其爐體使用帶法蘭的大直徑半透明石英玻璃鐘罩，鐘罩的尺寸取決于外延爐和要外延硅片的尺寸，最大的外延爐直徑已超過1000mm。
石英玻璃法蘭是單晶硅片擴(kuò)散、氧化、CVD沉積爐中與石英玻璃擴(kuò)散管配套使用的石英玻璃制品，主要起連接作用，規(guī)格尺寸取決于擴(kuò)散管的尺寸。應(yīng)用中對石英玻璃的純度、耐溫性能、尺寸精度有較高的要求。
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